Diode BAT85S, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 0.2A, 5A, DO-35, 30 v

Diode BAT85S, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 0.2A, 5A, DO-35, 30 v

Menge
Stückpreis
10-49
0.0715€
50-99
0.0612€
100-199
0.0547€
200+
0.0446€
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Diode BAT85S, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 0.2A, 5A, DO-35, 30 v. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. Halbleitermaterial: Sb. Ifsm [A]: 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT85S. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Schottky-Diode. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2uA. MRT (maximal): 2uA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Temperatur: +125°C. Trr-Diode (Min.): 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18

Technische Dokumentation (PDF)
BAT85S
35 Parameter
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
Vorwärtsstrom [A]
0.2A
Vorwärtsstrom (AV)
0.2A
IFSM
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
VRRM
30 v
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Cj
10pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
240mV
Funktion
Schaltende Schottky-Diode
Halbleitermaterial
Sb
Ifsm [A]
5A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
BAT85S
Komponentenfamilie
Kleinsignal-Schottky-Diode
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
10000
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
2uA
MRT (maximal)
2uA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
5 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
30 v
Schwellenspannung Vf (max)
800mV
Spec info
IFMS 5Ap/10ms
Teilung
1.6x3.9mm
Temperatur
+125°C
Trr-Diode (Min.)
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay
Mindestmenge
10

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