Diode BAT42, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35

Diode BAT42, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35

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Stückpreis
10-49
0.0575€
50-99
0.0462€
100-499
0.0405€
500+
0.0320€
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Diode BAT42, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 30 v. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. IFSM: 4A. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 7pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schottky-Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1V / 0.2A. Durchlassspannung Vf (min): 0.4V. Halbleitermaterial: Sb. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 4A. Information: -. Komponentenfamilie: Schottky-Diode für kleine Signale, SMD-Montage. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.5uA..100uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 0.4V. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.5uA. MSL: n/a. Max Rückspannung: 30V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 4A. Reaktionszeit: 5ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 0.5uA / 25V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Schwellenspannung: 400mV, 0.4V. Serie: BAT4. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Trr-Diode (Min.): 5 ns. [V]: 0.45V @ 15mA. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18

Technische Dokumentation (PDF)
BAT42
45 Parameter
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
30 v
Vorwärtsstrom (AV)
0.2A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.2A
IFSM
4A
Vorwärtsstrom [A]
0.2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
7pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Schottky-Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1V / 0.2A
Durchlassspannung Vf (min)
0.4V
Halbleitermaterial
Sb
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
4A
Komponentenfamilie
Schottky-Diode für kleine Signale, SMD-Montage
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
0.5uA..100uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
0.4V
MRT (maximal)
100uA
MRT (min)
0.5uA
Max Rückspannung
30V
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
4A
Reaktionszeit
5ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
5ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
0.5uA / 25V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
5 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
30 v
Schwellenspannung Vf (max)
0.65V
Schwellenspannung
400mV, 0.4V
Serie
BAT4
Spec info
IFSM--4Ap (t=/10ms)
Trr-Diode (Min.)
5 ns
[V]
0.45V @ 15mA
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics
Mindestmenge
10

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