Diode 1N4937, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V

Diode 1N4937, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0348€
50-99
0.0301€
100-199
0.0268€
200+
0.0223€
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Diode 1N4937, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Vorwärtsstrom [A]: 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Eigenschaften des Halbleiters: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Halbleitertyp: Diode. Ifsm [A]: 33A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..100uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.3V. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Max Rückspannung: 600V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pulsstrom max.: 30A. Reaktionszeit: 200ns, 250ns. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 200 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 600V. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Schwellenspannung: 1.2V, 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Strom fahren: 1A. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Verpackung: Ammo Pack. [V]: 1.2V @ 1A. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 12/12/2025, 03:22

Technische Dokumentation (PDF)
1N4937
45 Parameter
Gehäuse
DO-41
Gehäuse (JEDEC-Standard)
DO-204AC
Vorwärtsstrom (AV)
1A
Vorwärtsstrom [A]
1A
IFSM
30A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-41 ( DO-204AL )
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
15pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung Vf (min)
1.2V
Eigenschaften des Halbleiters
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Funktion
Schnelles Umschalten für hohe Effizienz
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Halbleitertyp
Diode
Ifsm [A]
33A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA..100uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.3V
MRT (maximal)
100uA
MRT (min)
5uA
Max Rückspannung
600V
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pulsstrom max.
30A
Reaktionszeit
200ns, 250ns
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
200 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
600V
Schwellenspannung Vf (max)
1.2V
Schwellenspannung
1.2V, 1.3V
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Strom fahren
1A
Trr-Diode (Min.)
200 ns
Verpackung
Ammo Pack
[V]
1.2V @ 1A
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc
Mindestmenge
10

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