Diode 1N4148WS, SOD-323, 100V, 0.15A, 150mA, 0.1A, 300mA, SOD-323F

Diode 1N4148WS, SOD-323, 100V, 0.15A, 150mA, 0.1A, 300mA, SOD-323F

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Stückpreis
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0.0318€
100-499
0.0271€
500-999
0.0229€
1000+
0.0173€
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Diode 1N4148WS, SOD-323, 100V, 0.15A, 150mA, 0.1A, 300mA, SOD-323F. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.15A. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. IFSM: 300mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323F. Abmessungen: 1,7x1,25x1mm. Anderer Name: IN4148. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.1A. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleitertyp: Diode. Ifsm [A]: 2A. Information: -. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. MRT (maximal): 1uA. MRT (min): 25nA. Max Rückspannung: 75V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Reaktionszeit: 4ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 25nA / 20V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 75V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Schwellenspannung: 1V. Serie: 1N4148. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A. Strom fahren: 450mA. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 17/12/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
1N4148WS
47 Parameter
Gehäuse
SOD-323
VRRM
100V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.15A
Vorwärtsstrom (AV)
150mA
Vorwärtsstrom [A]
0.1A
IFSM
300mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOD-323F
Abmessungen
1,7x1,25x1mm
Anderer Name
IN4148
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Cj
2pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Schaltdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.0V / 0.1A
Durchlassspannung Vf (min)
0.715V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsdioden
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleitertyp
Diode
Ifsm [A]
2A
Komponentenfamilie
Kleinsignal-Siliziumdiode
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
25nA..50uA
MRT (maximal)
1uA
MRT (min)
25nA
Max Rückspannung
75V
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Reaktionszeit
4ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
4ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
25nA / 20V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
4 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
75V
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Schwellenspannung
1V
Serie
1N4148
Spec info
Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A
Strom fahren
450mA
Trr-Diode (Min.)
4 ns
[V]
1V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10