Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BU808DFX

BU808DFX
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BU808DFX. BE-Widerstand: 42 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.

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BU808DFX-PMC
BE-Widerstand: 260 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse. Spec info: Fallzeit 0,8us. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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BE-Widerstand: 260 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse. Spec info: Fallzeit 0,8us. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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