BS170

BS170. C(in): 24pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 1.2A. ID (T=25°C): 0.5A. IDSS (max): 10nA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS170. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, Kleine Signale. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.