Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BC859B. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 475. Minimaler hFE-Gewinn: 220. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 08:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3F. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F
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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3F. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F
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C(in): 10pF. Kosten): 4.5pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BC850C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4g. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.25W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -68...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 4G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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