Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BAS85-GS08

BAS85-GS08
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BAS85-GS08. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Diode für kleine Signale, SMD-Montage. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80. Gehäuse (JEDEC-Standard): Sb. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.2uA..2uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 07:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. MRT (maximal): 2uA. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms
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