B80C1500B, 1.5A, 2.3A/1.5A, 160V, 50A, 160V

B80C1500B, 1.5A, 2.3A/1.5A, 160V, 50A, 160V

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B80C1500B, 1.5A, 2.3A/1.5A, 160V, 50A, 160V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. VRRM: 160V. Abmessungen: 20x10x3.5mm. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Cj: 1300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Diodentyp: Einphase. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Durchschnittlicher korrigierter Strom (max): 1.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SIP / SIL. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 10A. Information: -. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. MRT (maximal): 5uA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Uf [V]: 0.9V. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Serie: B80. Spec info: IF(AV) 1,5A, 2,3A (mit Kühlkörper). Teilung: 5mm. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:05

Technische Dokumentation (PDF)
B80C1500B
30 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
1.5A
Nennstrom [A]
2.3A/1.5A
Spitzenspannung Urrm [V]
160V
Spitzenstrom Ifsm [A]
50A
VRRM
160V
Abmessungen
20x10x3.5mm
Anzahl der Terminals
4
Anzahl der Terminals
4
Betriebstemperatur
-50...+150°C
Cj
1300pF
Dielektrische Struktur
Diodenbrücke
Diodentyp
Einphase
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Durchschnittlicher korrigierter Strom (max)
1.5A
Gehäuse
SIP / SIL
Halbleitermaterial
Silizium
IFSM
10A
Komponentenfamilie
Diodenbrücke (Graetz)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
MRT (maximal)
5uA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
4
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Uf [V]
0.9V
Schwellenspannung Vf (max)
1.5V
Serie
B80
Spec info
IF(AV) 1,5A, 2,3A (mit Kühlkörper)
Teilung
5mm
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.

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