AP9971GH

AP9971GH. C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9971GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.