Advanced Power AP9971GI N-Kanal Power MOSFET 60V 23A TO-220

Technische Produktbeschreibung (AP9971GI):

N-Kanal Power MOSFET von Advanced Power, Modell AP9971GI. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 60V. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 25uA. Drainstrom Id (T=25°C): 23A. Drainstrom Id (T=100°C): 14A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.036 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220CFM. Gehäuse: TO-220. RoHS-konform: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gate-Source-Schutz: NEIN. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 26 ns. Minimaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 10uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 9 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Impuls-Drainstrom Id(imp): 80A. Minimale Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th): 1V. Eingangskapazität C(in): 1700pF. Ausgangskapazität C(out): 160pF. Minimale Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr: 37 ns. Maximale Verlustleistung: 31.3W. Verpackung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 20V. Verpackungseinheit: 50.