Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK4013-Q

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2SK4013-Q. C(in): 1400pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4013 Q. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( 2-10U1B ). Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS IV). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

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C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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