2SK3530-01MR
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.28€ | 19.37€ |
| 2 - 2 | 15.47€ | 18.41€ |
| 3 - 4 | 14.66€ | 17.45€ |
| 5 - 9 | 13.84€ | 16.47€ |
| 10 - 14 | 13.52€ | 16.09€ |
| 15 - 19 | 13.19€ | 15.70€ |
| 20+ | 12.70€ | 15.11€ |
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| 1 - 1 | 16.28€ | 19.37€ |
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2SK3530-01MR. C(in): 740pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 2.3 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.46 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 15:25.
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C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-Schutz: NINCS
C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-Schutz: NINCS
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