2SK3065

2SK3065. C(in): 160pF. Kosten): 85pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KE. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( MTP3 ). Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KE. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.