2SK1120

2SK1120. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(in): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Spec info: DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendung. Gewicht: 4.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.