Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC5129-PMC

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2SC5129-PMC. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Funktion: HA, Hi-res. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 20:25.

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Abfallzeit 0,15..03us (64kHz). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Abfallzeit 0,15..03us (64kHz). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja
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