Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF
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P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF. P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9510PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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IRF9520N

IRF9520N

P-Kanal-Transistor, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. GehÃ...
IRF9520N
P-Kanal-Transistor, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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P-Kanal-Transistor, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 500uA. GehÃ...
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