Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 12A, 600V - 2SC5048

NPN-Transistor, 12A, 600V - 2SC5048
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NPN-Transistor, 12A, 600V - 2SC5048. NPN-Transistor, 12A, 600V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vce(sat) 3V. Hinweis: Monitor HA (F). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: VEBO 5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkungsausgabe. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5449. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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