Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC4495. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Technologie: NPN-Dreifach-Diffusions-Planartransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

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