P-Kanal-Transistor, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4425BDY

P-Kanal-Transistor, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4425BDY. P-Kanal-Transistor, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 41ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.1A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 15:25.