2SC2632

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.14A. Ic(Impuls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1209. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC2910. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): 70mA. Betriebstemperaturbereich max (°C): 140mA. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1208

Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.05A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 Y. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS