Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N5394. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Inc.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm...
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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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