Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N5396. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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