Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N4003

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1N4003. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller DC Components. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.

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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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