Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Zenerdioden

ZY9-1

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ZY9-1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Zenerspannung: 9.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Zenerspannung: 9.1V
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