ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA. C(in): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0uA. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 70V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.