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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD2065200NCTGH SiC N-Kanal MOSFET 650V 18.5A TO-247
Produktreferenz : YJD2065200NCTGH
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Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Spannung | 650 V |
| Strom | 18.5 A |
| Gehäuse | TO-247 |
| Widerstand (RDSon) | 0.200 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJD2065200NCTGH):
Der Yangjie Electronic Technology YJD2065200NCTGH ist ein hochleistungsfähiger SiC N-Kanal MOSFET. Er verfügt über 650V, 18.5A, Rds < 0.200 Ohm und 105W. Er ist geeignet für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gekapselt in einem TO-247 Gehäuse.<br><br>