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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B N-Kanal Leistungs-MOSFET 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-26
Produktreferenz : YJB110G10B
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.21 € | — |
| 5 – 9 | 1.86 € | -16% |
| 10 – 19 | 1.72 € | -22% |
| 20 – 49 | 1.60 € | -28% |
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Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | MOSFET |
| Spannung | 100 V |
| Strom | 110.0 A |
| Gehäuse | TO-263 |
| Widerstand (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJB110G10B):
Der YJB110G10B ist ein Hochleistungs-MOSFET, hergestellt von Yangjie Electronic Technology. Dieser (YET) N-POWERFET verfügt über 100V, 110A und einen Rds(on) von 0.0052 Ohm, gekapselt in einem TO-263 (D2PAK) Gehäuse. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendungen.<br><br>