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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology BSS123W N-Kanal MOSFET, 100V, 0.2A, SOT-323 Gehäuse, niedriger Rds(on)
Produktreferenz : BSS123W
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 10 – 200 | 0.31 € | — |
| 210 – 500 | 0.0369 € | -88% |
| 510 – 1000 | 0.0333 € | -89% |
| 1010 – 3000 | 0.0298 € | -90% |
| 3010+Bestpreis | 0.0262 € | -92% |
Technische Produktbeschreibung (BSS123W):
Der BSS123W ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Yangjie Electronic Technology. Dieser N-FET bietet eine Spannung von 100V, einen Strom von 0.2A, eine Verlustleistung von 0.15W und einen Rds(on) von weniger als 5 Ohm. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendungen. Die Komponente ist in einem SOT-323-Gehäuse gekapselt.