VNB49N04

VNB49N04. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB49N04. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 2400 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.