Varicap- und HF-Dioden

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 35V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.9V @ 100mA

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BA479G

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-34. Konfigur...

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-34. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.05A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 50nA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 20mA

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BAP64-03-115

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Ko...

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 175V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.95V @ 50mA

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BAR63-03W

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Ko...

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-PIN-Diode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 50V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10nA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.95V @ 100mA

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BBY40-215

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Varicap-Diode. Vorwä...

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Varicap-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Temperatur: +125°C. Kapazität: 32pF. Kapazität: 4.3pF. Frequenzband: VHF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Varicap-Diode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vr min 3V, 28-32pF, Vr max 25V 4.3-6pF

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