Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30 v. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30 v. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 48V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 59.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 48V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 48V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 59.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 48V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.0V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.0V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 96.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 78V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 96.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 78V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 100V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 100V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8.5V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 10V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 120V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Ubr [V] bei Ibr [A]: 120V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 126V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 102V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 120V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 12V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 12V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 3.5x6.5mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 13V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO41 3.5x6.5. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz