Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 27V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms). Verschiedenes: Transildiode