TT2062

TT2062. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hohe Geschwindigkeit.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 18A. Ic(Impuls): 35A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.