Transistoren

Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 145 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP52/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP55-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP53-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 120 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +155°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP 5316. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP56-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AH. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP54/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP51-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP 5516. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP52-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP56-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 120 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +155°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP56/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP53-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP69/25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 140 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP69. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 140 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: XGs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 10k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 500mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XCs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 1V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XCs. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Widerstand: 4.7k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: PNP-Silizium-Digitaltransistor. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 500mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XUs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: XHs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: EF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3Ls. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Transistortyp: PNP & PNP. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: PNP-Silizium-Doppeltransistor. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3Ls. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: Siebdruck /SMD-Code C2. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Transistortyp: PNP. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Vebo: 5V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: >420. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCW60RC. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W