Transistor SI4435DDY-T1-GE3
Menge
Stückpreis
5-9
1.13€
10-49
1.09€
50-199
0.97€
200-999
0.90€
1000+
0.82€
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Transistor SI4435DDY-T1-GE3. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gehäuse: SO8. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 11.4A. Information: -. MSL: -. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Polarität: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): -30V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay Siliconix. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
SI4435DDY-T1-GE3
10 Parameter
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Gehäuse
SO8
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
11.4A
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Polarität
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-30V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay Siliconix
Mindestmenge
5