Transistor SI2333CDS-T1-E3
Menge
Stückpreis
5-9
0.94€
10-49
0.84€
50-199
0.76€
200-2999
0.71€
3000+
0.56€
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Transistor SI2333CDS-T1-E3. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±8V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 7.1A. Information: -. MSL: -. Montageart: Oberflächenmontage. Polarität: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): 12V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay Siliconix. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
SI2333CDS-T1-E3
8 Parameter
Gate/Source-Spannung Vgs max
±8V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
7.1A
Montageart
Oberflächenmontage
Polarität
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Vdss (Drain-Source-Spannung)
12V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay Siliconix
Mindestmenge
5