Transistor BCR108E6327HTSA1

Transistor BCR108E6327HTSA1

Menge
Stückpreis
1-4
1.01€
5-9
0.63€
10-19
0.49€
20-49
0.42€
50+
0.37€
Menge auf Lager: 3

Transistor BCR108E6327HTSA1. Basis-Emitter-Widerstand: 47k Ohms. Basisresistentenresistenz: 2.2k Ohms. Frequenz: 170MHz. Gehäuse: SOT23. Kollektorstrom Ic [A]: 0.1A. Leistung: 0.2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Transistortyp: BRT. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 20/12/2025, 13:50

BCR108E6327HTSA1
12 Parameter
Basis-Emitter-Widerstand
47k Ohms
Basisresistentenresistenz
2.2k Ohms
Frequenz
170MHz
Gehäuse
SOT23
Kollektorstrom Ic [A]
0.1A
Leistung
0.2W
Montage/Installation
SMD
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
50V
Transistortyp
BRT
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies