Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TK8A65D-STA4-Q-M

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TK8A65D-STA4-Q-M. C(in): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 30Ap. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K8A65D. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10U1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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