STP9NK60Z

STP9NK60Z. C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1us. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.