STP9NK50Z

STP9NK50Z. C(in): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 238 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.