SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4431BDY-T1-E3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.