Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.33€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.31€ | 0.37€ |
25 - 49 | 0.30€ | 0.36€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.33€ |
100 - 249 | 0.28€ | 0.33€ |
250 - 499 | 0.27€ | 0.32€ |
500 - 2713 | 0.26€ | 0.31€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.33€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.31€ | 0.37€ |
25 - 49 | 0.30€ | 0.36€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.33€ |
100 - 249 | 0.28€ | 0.33€ |
250 - 499 | 0.27€ | 0.32€ |
500 - 2713 | 0.26€ | 0.31€ |
SI3441BD. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 1.95A. ID (T=25°C): 2.45A. IDSS (max): 5nA. IDss (min): 1nA. Pd (Verlustleistung, max): 1nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V. Anzahl der Terminals: 6. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.
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