SI2333DDS-T1-GE3

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.48€	1.76€
5 - 9	1.41€	1.68€
10 - 24	1.33€	1.58€
25 - 49	1.26€	1.50€
50 - 99	1.23€	1.46€
100 - 249	1.20€	1.43€
250 - 8803	1.14€	1.36€

Menge	U.P
1 - 4	1.48€	1.76€
5 - 9	1.41€	1.68€
10 - 24	1.33€	1.58€
25 - 49	1.26€	1.50€
50 - 99	1.23€	1.46€
100 - 249	1.20€	1.43€
250 - 8803	1.14€	1.36€

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Menge auf Lager : 8803

Set mit 1

SI2333DDS-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: O4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1275pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

Technische Dokumentation

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Per E-Mail

Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!