Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.28€ | 2.71€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.58€ |
10 - 24 | 2.05€ | 2.44€ |
25 - 49 | 1.94€ | 2.31€ |
50 - 99 | 1.89€ | 2.25€ |
100 - 249 | 1.85€ | 2.20€ |
250 - 3353 | 1.76€ | 2.09€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.28€ | 2.71€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.58€ |
10 - 24 | 2.05€ | 2.44€ |
25 - 49 | 1.94€ | 2.31€ |
50 - 99 | 1.89€ | 2.25€ |
100 - 249 | 1.85€ | 2.20€ |
250 - 3353 | 1.76€ | 2.09€ |
SI2323DS-T1-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.0V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 71 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1020pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.
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