SI2315BDS-T1-E3

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.50€	0.60€
10 - 24	0.47€	0.56€
25 - 49	0.45€	0.54€
50 - 99	0.42€	0.50€
100 - 249	0.41€	0.49€
250 - 499	0.40€	0.48€
500 - 14076	0.38€	0.45€

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Set mit 1

SI2315BDS-T1-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M5. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -0.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 715pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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