SI2306BDS-T1-E3

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.53€	0.63€
5 - 9	0.50€	0.60€
10 - 24	0.47€	0.56€
25 - 49	0.45€	0.54€
50 - 99	0.44€	0.52€
100 - 249	0.43€	0.51€
250 - 6822	0.40€	0.48€

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Set mit 1

SI2306BDS-T1-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L6. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 305pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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