RSS095N05

RSS095N05. C(in): 1830pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TB. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler, Wechselrichter. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.