Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RHRP860

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RHRP860. RoHS: ja. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperschnelle Diode. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 16A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 22:25.

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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR860. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode
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