RH4F

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Set mit 1

RH4F. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Hinweis: Samsung--0402-000266. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

Technische Dokumentation